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2014. 9. 14. 13:19 IT Mobile 동향


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메모리 반도체 공정 발전에 대한 예상 그림입니다.



현재 NAND 플래시 메모리는 16nm대 공정으로 생산되고 있으나, 2016~2017년에는 10nm~12nm대로 집적도가 올라간다는 전망입니다.


DRAM 역시 현재는 20nm대 공정으로 생산되고 있지만, 2016~2017년에는 10nm대로 진입할 것이라는 전망입니다.


자세한 내용은 아래 링크를 참조하시면 됩니다.


관련 링크 : http://www.ddaily.co.kr/news/article.html?no=121733

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